用來進行介質膜的濺射，如在玻璃上鍍ITO膜之前需鍍上一層（céng）SiO2擴（kuò）散隔離層，該SiO2膜（mó）就是采用射頻濺射。
通常（cháng）在濺射過程中輝（huī）光放電中的離子撞擊到陰極時（shí），會與陰極的電子中和，是的濺射現象可以繼續進行。
但若（ruò）靶材本身不導電的話，離子撞（zhuàng）擊到靶材上沒有電子中和，
正電荷一直累積，使與後來的離（lí）子排斥，這會造成（chéng）取代（dài）直（zhí）流電源，使可解決此離子撞擊現象（xiàng）的停頓。
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